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HM879

更新时间： 2024-01-21 14:44:08

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	223K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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HM879 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	140	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES

HM879 数据手册

HM879

TRANSISTOR (NPN)

SOT-89-3L

FEATURES

High Current

1. BASE

Low Voltage

2. COLLECTOR

3. EMITTER

General Purpose Amplifier Applications

MARKING:879

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

500

250

150

-55~+150

℃/W

℃

R_θJA

T_j

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V_(BR)CBOI_C=10µA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=10µA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=20V,I_E=0

100

V_EB=4V,I_C=0

DC current gain

V_CE=2V, I_C=3A

I_C=3A,I_B=60mA

V_CE=1V, I_C=2A

V^CE=10V,I^C=50mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1KHz

140

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

0.4

1.5

f_T

200

MHz

Transition frequency

Collector output capacitance

C_ob

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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