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HM-8808AS-8

更新时间: 2024-09-25 06:36:43
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瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 398K
描述
8KX8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100ns, DMA28

HM-8808AS-8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-XDMA-T28
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM-8808AS-8 数据手册

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