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HM51W17400BLTS-6

更新时间: 2024-01-08 18:44:50
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 444K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

HM51W17400BLTS-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP24/26,.36
针数:26Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.31访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G24
JESD-609代码:e0长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP24/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.0001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

HM51W17400BLTS-6 数据手册

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HM51W17400B Series  
4,194,304-word × 4-bit Dynamic Random Access Memory  
ADE-203-370A (Z)  
Rev. 1.0  
Nov. 17, 1995  
Description  
The Hitachi HM51W17400B is a CMOS dynamic RAM organized 4,194,304-word × 4-bit. It employs the  
most advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM51W17400B offers Fast  
Page Mode as a high speed access mode.  
Features  
Single 3.3 V (±0.3 V)  
High speed  
Access time : 60 ns/ 70 ns/ 80 ns (max)  
Low power dissipation  
Active mode : 396 mW/360 mW/324 mW(max)  
Standby mode : 7.2 mW (max)  
: 0.36 mW (max) (L-version)  
Fast page mode capability  
Long refresh period  
2048 refresh cycles : 32 ms  
: 128 ms (L-version)  
4 variations of refresh  
RAS-only refresh  
CAS-before-RAS refresh  
Hidden refresh  
Self refresh (L-version)  
Battery backup operation (L-version)  
Test function  
16-bit parallel test mode  
This specification is fully compatible with the 16-Mbit DRAM specifications from TEXAS INSTRUMENTS.  

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