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HM065787M-2/883

更新时间： 2024-02-07 22:44:37

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	108K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS,

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HM065787M-2/883 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-XUUC-N22	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	22	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64KX1	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

HM065787M-2/883 数据手册

MATRA MHS

HM 65787

64 K × 1 High Speed CMOS SRAM

Introduction

The HM 65787 is a high speed CMOS static RAM Easy memory expansion is provided by an active low chip

organized as 65536 × 1 bit. It is manufactured using select (CS) and three state drivers.

MHS’s high performance CMOS technology.

All inputs and outputs of the HM 65787 are TTL

Access times as fast as 15 ns are available with maximum

power consumption of only 495 mW.

compatible and operate from single 5V supply thus

simplifying system design.

The HM 65787 features fully static operation requiring no

external clocks or timing strobes. The automatic

power-down feature reduces the power consumption by

60 % when the circuit is deselected.

The HM 65787 is processed following the test methods of

MIL STD 883.

Features

D Fast access time

D 300 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

Commercial : 15/20/25/35/45 ns

Industrial military : 20/25/35/45/55 ns

D Low power consumption

Active : 320 mW (typ)

D Capable of withstanding greater than 2000 V electrostatic

discharge

Standby : 75 mW (typ)

D Single 5 volt supply

D Wide temperature range :

–55°C to + 125°C

Interface

Block Diagram

Rev. C (16/12/94)

12 3 4 5 6 7...9

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