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HL6335G

更新时间： 2024-02-26 03:05:33

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日立 - HITACHI		半导体光电
页数	文件大小	规格书
10页	62K
描述
Circular Beam Low Operating Current

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HL6335G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LD/G2, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.02	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流：	0.06 A	最大正向电压：	2.7 V
JESD-609代码：	e0	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	50 °C
最低工作温度：	-10 °C	光电设备类型：	LASER DIODE
标称输出功率：	5 mW	峰值波长：	635 nm
半导体材料：	AlGaInP	形状：	ROUND
尺寸：	2 mm	子类别：	Laser Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流：	30 mA	Base Number Matches：	1

HL6335G/36G

Typical Characteristic Curves

Monitor Current vs.Optical Output Power

V_R(PD)= 5V

Opticai Output Power vs. Foward Current

0.10

0.08

T_C= 10˚C

_C= 25˚C

40˚C

50˚C

25˚C

0.06

0.04

0.02

Foward current, I_F(mA)

Optical output power, P_O(mW)

Slope Efficiency vs. The Case Temperature

1.4

Threshold Current vs. The Case Temperature

100

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

–10

Case temperature, T_C(˚C)

Case temperature T_C(˚C)

Rev.3, Mar. 2002, page 3 of 10

1 234 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HL6335G/36G	ETC		获取价格
HL6336G	HITACHI	Circular Beam Low Operating Current	获取价格
HL6336G	OPNEXT	Circular Beam Low Operating Current	获取价格
HL6339G	RENESAS	633nm, LASER DIODE, LD/G2, 3 PIN	获取价格
HL6339G	HITACHI	633nm Lasing Laser Diode	获取价格
HL6339G/42G	ETC		获取价格