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HI63SH PDF预览

HI63SH

更新时间： 2024-09-30 19:45:03
品牌 Logo 应用领域
HUTSON 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
2页 158K
描述
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 3A I(T)RMS, TO-5,

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HI63SH 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.91
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：7 V/us
最大直流栅极触发电流：25 mA最大直流栅极触发电压：2.2 V
最大维持电流：15 mAJEDEC-95代码：TO-5
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
最大漏电流：0.75 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：3 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

HI63SH 数据手册

 浏览型号HI63SH的Datasheet PDF文件第2页 
MAXIMUM RATINGS  
SYMBOL VDRM  
DEVICE NUMBERS  
UNITS  
200  
400  
600  
HI23SS  
HI43SS  
HI63SS  
HI23SD  
HI43SD  
HI63SD  
HI23SG  
HI43SG  
HI63SG  
HI23SH  
HI43SH  
HI63SH  
REPETITIVE PEAK OFF-STATE VOLTAGE (1)  
GATE OPEN, AND TJ = 110° C  
VOLT  
VDRM  
RMS ON-STATE CURRENT AT TC = 80º C AND  
CONDUCTION, ANGLE OF 360º  
IT(RMS)  
ITSM  
3.0  
30  
1
3.0  
30  
1
3.0  
30  
1
3.0  
30  
1
AMP  
AMP  
PEAK SURGE (NON-REPETITIVE) ON-STATE  
CURRENT, ONE-CYCLE, AT 50HZ OR 60HZ  
PEAK GATE - TRIGGER CURRENT  
FOR 3µSEC. MAX.  
IGTM  
PGM  
AMP  
PEAK GATE–POWER DISSIPATION AT  
IGT IGTM  
20  
20  
20  
20  
WATT  
AVERAGE GATE - POWER DISSIPATION  
PG(AV)  
TSTG  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
WATT  
°C  
STORAGE TEMPERATURE RANGE  
-40 to +150  
-40 to +110  
OPERATING TEMPERATURE RANGE, TJ  
TOPER  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
AT SPECIFIED CASE TEMPERATURE  
PEAK OFF - STATE CURRENT (1) GATE OPEN  
TC = 110° C VDRM = MAX. RATING  
MAXIMUM ON - STATE VOLTAGE, (1) AT  
TC = 25° C AND IT = RATED AMPS  
DC HOLDING CURRENT, (1) GATE OPEN  
AND TC = 25° C  
MA  
MAX.  
VOLT  
MAX.  
MA  
IDRM  
VTM  
IHO  
0.75  
1.85  
5
0.75  
0.75  
2.20  
15  
0.75  
2.20  
15  
2.20  
15  
MAX.  
CRITICAL RATE-OF-RISE OFF-STATE  
VOLTAGE, (1) FOR VD = VDRM GATE OPEN,  
TC = 110° C  
CRITICAL RATE-OF-RISE OF COMMUNICATION  
VOLTAGE, (1) AT TC = 80° C, GATE  
ENENERGIZED, VD = VDRM IT = IT (RMS)  
CRITICAL  
dv/dt  
3
1
4
1
5
1
7
1
V/µSEC.  
V/µSEC.  
COMMUTATING  
dv/dt  
DC GATE - TRIGGER CURRENT FOR  
VD = 12VDC. RL = 60 OHM AND AT TC = 25° C  
(T2 + GATE + T2 - GATE-) Q 1 & 3  
MA  
MAX.  
IGT  
3
5
10  
25  
(T2 + GATE - T2 - GATE +) Q 2 & 4  
DC GATE - TRIGGER VOLTAGE FOR  
VD = 12VDC. RL = 60 OHM AND AT TC = 25° C  
VOLT  
MAX.  
VGT  
2.2  
2.2  
2.2  
2.2  
GATE CONTROLLED TURN-ON TIME  
FOR VD = VDRM IGT = 80MA  
TR = 0.1 µSEC. IT = 6A (PEAK) AND TC = 25° C  
TGT  
2.2  
4
2.2  
4
2.2  
4
2.2  
4
µSEC.  
°C / WATT  
TYP  
R0J-C  
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION-TO-CASE  
*NOTES:  
(1) ALL VALUES APPLY IN EITHER DIRECTION  
SOLID STATE CONTROL DEVICES  
10  
12

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