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HFBR-2316TZ

更新时间： 2024-01-16 04:56:16
品牌 Logo 应用领域
安华高科 - AVAGO 光纤放大器通信
页数 文件大小 规格书
7页 252K
描述
1300 nm Fiber Optic Transmitter and Receiver RoHS-compliant

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HFBR-2316TZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：DIPReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8517.62.00.50
风险等级：1.36主体宽度：12.6 mm
主体高度：10.2 mm主体长度或直径：29.8 mm
内置特性：AMPLIFIER通信标准：OC-3, SONET
连接类型：ST CONNECTOR, SC CONNECTOR数据速率：155 Mbps
发射极/检测器类型：LED光纤设备类型：RECEIVER
光纤类型：9/125, 50/125, 62.5/15, MMF, SMFJESD-609代码：e3
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度：70 °C
最低工作温度：标称工作波长：1300 nm
封装形式：DIP接收类型：ANALOG
子类别：Fiber Optic Receivers最大供电电压：5.25 V
最小供电电压：4.75 V标称供电电压：5 V
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

HFBR-2316TZ 数据手册

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HFBR-2316TZ Receiver Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
Symbol  
Min.  
-55  
-40  
Max.  
85  
Unit  
°C  
°C  
°C  
s
Reference  
Note 1  
TS  
T
+85  
260  
10  
A
Lead Soldering Temperature  
Cycle Time  
Signal Pin Voltage  
Supply Voltage  
Output Current  
VO  
-0.5  
-0.5  
VCC  
6.0  
25  
V
V - VEE  
V
Note 2  
CC  
IO  
mA  
CAUTION: The small junction sizes inherent to the design of this bipolar component increase the component’s susceptibility to dam-  
age from electrostatic discharge (ESD). It is advised that normal static precautions be taken in handling and assembly of this com-  
ponent to prevent damage and/or degradation which may be induced by ESD.  
HFBR-2316TZ Receiver Electrical/Optical and Dynamic Characteristics  
0 to 70°C; 4.75 V < VCC - VEE < 5.25 V; power supply must be filtered (see note 2).  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.[3]  
Max.  
Unit  
Condition  
Ref.  
Responsitivity  
RP 62.5 µm  
6.5  
13  
19  
mV/µW  
λp = 1300 nm, 50 MHz  
Multimode Fiber  
62.5/125 µm  
Note 4  
Fig. 6, 10  
RP 9 µm  
VNO  
8.5  
17  
Singlemode Fiber  
9/125 µm  
RMS Output Noise  
Voltage  
0.4  
0.59  
1.0  
mVRMS  
mVRMS  
100 MHz Bandwidth,  
PR = 0 µW  
Note 5  
Fig. 7  
Unfiltered Bandwidth  
PR = 0 µW  
Equivalent Optical  
PN, RMS  
-45  
-41.5  
dBm  
µW  
@ 100 MHz, PR = 0 µW  
Note 5  
Noise Input Power (RMS)  
0.032  
0.071  
Peak Input Optical Power  
PR  
-11.0  
80  
dBm  
µW  
50 MHz, 1 ns PWD  
f = 50 MHz  
Note 6  
Fig. 8  
Output Resistance  
DC Output Voltage  
RO  
30  
Ohm  
V
VO,DC  
0.8  
75  
1.8  
2.6  
15  
VCC = 5 V, VEE = 0 V  
PR = 0 µW  
Supply Current  
ICC  
9
mA  
MHz  
Hz *s  
RLOAD = ∞  
Electrical Bandwidth  
BWE  
125  
0.41  
-3 dB electrical  
Note 7  
Bandwidth * Rise  
Time Product  
Note 11  
Electrical Rise, Fall  
Times, 10-90%  
tr,tf  
3.3  
0.4  
2
5.3  
1.0  
ns  
ns  
%
PR = -15 dBm peak,  
@ 50 MHz  
Note 8  
Fig. 9  
Pulse-Width  
Distortion  
PWD  
PR = -11 dBm, peak  
Note 6,9  
Fig. 8  
Overshoot  
PR = -15 dBm, peak  
Note 10  
6
1...34567

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