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HCS240DMSR

更新时间： 2024-02-05 23:27:18
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英特矽尔 - INTERSIL 驱动器
页数 文件大小 规格书
10页 147K
描述
Radiation Hardened Octal Buffer/Line Driver, Three-State

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HCS240DMSR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DFP
包装说明：DFP, FL20,.3针数：20
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.15控制类型：ENABLE LOW
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-CDFP-F20
JESD-609代码：e3负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER位数：4
功能数量：2端口数量：2
端子数量：20最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C输出特性：3-STATE
输出极性：INVERTED封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DFP封装等效代码：FL20,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：21 ns传播延迟（tpd）：21 ns
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：2.92 mm子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE总剂量：200k Rad(Si) V
宽度：6.92 mmBase Number Matches：1

HCS240DMSR 数据手册

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Specifications HCS240MS  
Absolute Maximum Ratings  
Reliability Information  
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to +7.0V  
Input Voltage Range, All Inputs . . . . . . . . . . . . .-0.5V to VCC +0.5V  
DC Input Current, Any One Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±10mA  
DC Drain Current, Any One Output. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±35mA  
Thermal Resistance  
SBDIP Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Ceramic Flatpack Package . . . . . . . . . . . 107 C/W 28 C/W  
Maximum Package Power Dissipation at +125 C Ambient  
SBDIP Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.69W  
Ceramic Flatpack Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.47W  
If device power exceeds package dissipation capability, provide heat  
θ
θ
JA  
JC  
o
o
72 C/W  
24 C/W  
o
o
o
o
o
Storage Temperature Range (TSTG) . . . . . . . . . . . -65 C to +150 C  
o
Lead Temperature (Soldering 10sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . +265 C  
o
Junction Temperature (TJ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175 C  
ESD Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Class 1 sinking or derate linearly at the following rate:  
o
(All Voltage Reference to the VSS Terminal)  
SBDIP Package. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.9mW/ C  
o
Ceramic Flatpack Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.3mW/ C  
Gate Count . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 Gates  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation  
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Operating Conditions  
Operating Voltage Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +4.5V to +5.5V  
Input Rise and Fall Time at 4.5V VCC (tr, tf) . . . . . . . 100ns/V Max.  
Operating Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . -55 C to +125 C  
Input High Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VCC to 70% of VCC  
Input Low Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0V to 30% of VCC  
o
o
TABLE 1. DC ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
GROUP  
A SUB-  
LIMITS  
(NOTE 1)  
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
GROUPS  
TEMPERATURE  
MIN  
MAX  
UNITS  
µA  
o
Supply Current  
ICC  
VCC = 5.5V,  
1
+25 C  
-
40  
VIN = VCC or GND  
o
o
2, 3  
1
+125 C, -55 C  
-
750  
µA  
o
Output Current  
(Source)  
IOH  
IOL  
VCC = 4.5V, VIH = 4.5V,  
VOUT = VCC -0.4V,  
VIL = 0V, (Note 2)  
+25 C  
-7.2  
-6.0  
-
-
mA  
o
o
2, 3  
+125 C, -55 C  
mA  
o
Output Current  
(Sink)  
VCC = 4.5V, VIH = 4.5V,  
VOUT = 0.4V, VIL = 0V,  
(Note 2)  
1
+25 C  
7.2  
6.0  
-
-
mA  
mA  
o
o
2, 3  
+125 C, -55 C  
o
o
o
Output Voltage High  
VOH  
VCC = 5.5V, VIH = 3.85V,  
VIL = 1.65V, IOH = -50µA  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
+25 C, +125 C, -55 C  
VCC  
-0.1  
-
V
V
V
V
o
o
o
VCC = 4.5V, VIH = 3.15V,  
VIL = 1.35V, IOH = -50µA  
+25 C, +125 C, -55 C  
VCC  
-0.1  
-
o
o
o
Output Voltage Low  
VOL  
VCC = 5.5V, VIH = 3.85V,  
VIL = 1.65V, IOL = 50µA  
+25 C, +125 C, -55 C  
-
0.1  
0.1  
o
o
o
VCC = 4.5V, VIH = 3.15V,  
+25 C, +125 C, -55 C  
-
VIL = 1.35V, IOL = 50µA  
o
Input Leakage  
Current  
IIN  
IOZ  
FN  
VCC = 5.5V, VIN = VCC or  
GND  
1
2, 3  
+25 C  
-
-
-
-
-
±0.5  
±5.0  
±1  
µA  
µA  
µA  
µA  
V
o
o
+125 C, -55 C  
o
Three-State Output  
Leakage Current  
VCC = 5.5V, Force Voltage  
= 0V or VCC  
1
+25 C  
o
o
2, 3  
+125 C, -55 C  
±50  
-
o
o
o
Noise Immunity  
Functional Test  
VCC = 4.5V,  
VIH = 3.15V,  
7, 8A, 8B  
+25 C, +125 C, -55 C  
VIL = 1.35V, (Note 3)  
NOTES:  
1. All voltages reference to device GND.  
2. Force/Measure functions may be interchanged.  
3. For functional tests, VO ≥ 4.0V is recognized as a logic “1”, and VO ≤ 0.5V is recognized as a logic “0”.  
Spec Number 518837  
3
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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