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HCS21DMSR

更新时间： 2024-02-06 15:55:56
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 触发器逻辑集成电路栅
页数 文件大小 规格书
8页 187K
描述
Radiation Hardened Dual 4-Input AND Gate

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HCS21DMSR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：DFP, FL14,.3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.74
Is Samacsys：N其他特性：RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-CDFP-F14
JESD-609代码：e0负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：AND GATE功能数量：2
输入次数：4端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装等效代码：FL14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：22 ns传播延迟（tpd）：20 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
筛选级别：38535V;38534K;883S子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
总剂量：200k Rad(Si) VBase Number Matches：1

HCS21DMSR 数据手册

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HCS21MS  
Radiation Hardened  
Dual 4-Input AND Gate  
September 1995  
Features  
Pinouts  
14 LEAD CERAMIC DUAL-IN-LINE  
METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)  
MIL-STD-1835 CDIP2-T14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
• Total Dose 200K RAD (Si)  
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg  
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day  
(Typ)  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC  
13 D2  
12 C2  
11 NC  
10 B2  
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s  
• Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse  
• Latch-Up Free Under Any Conditions  
NC  
C1  
D1  
• Military Temperature Range: -55oC to +125oC  
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs  
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V  
Y1  
9
8
A2  
Y2  
GND  
14 LEAD CERAMIC METAL SEAL FLATPACK PACKAGE  
(FLATPACK) MIL-STD-1835 CDFP3-F14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• Input Logic Levels  
- VIL = 30% of VCC Max  
- VIH = 70% of VCC Min  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
VCC  
D2  
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH  
NC  
C1  
C2  
Description  
NC  
B2  
D1  
The Intersil HCS21MS is a Radiation Hardened Dual Input AND  
Gate. A high on all inputs forces the output to a High state.  
Y1  
A2  
GND  
8
Y2  
The HCS21MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to  
achieve high-speed operation. This device is a member of radia-  
tion hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.  
Functional Diagram  
The HCS21MS is supplied in a 14 lead Ceramic flatpack (K suffix)  
or a SBDIP Package (D suffix).  
An (1, 9)  
Bn (2, 10)  
Cn (4, 12)  
Dn (5, 13)  
Yn (6, 8)  
Ordering Information  
PART  
NUMBER  
TEMPERATURE SCREENING  
RANGE LEVEL  
PACKAGE  
o
o
HCS21DMSR  
HCS21KMSR  
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead SBDIP  
TRUTH TABLE  
INPUTS  
o
o
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
OUTPUTS  
An  
L
Bn  
Cn  
X
Dn  
X
Yn  
L
o
HCS21D/  
Sample  
+25 C  
Sample  
Sample  
Die  
14 Lead SBDIP  
X
L
X
X
X
L
o
HCS21K/  
Sample  
+25 C  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
X
X
X
H
L
X
L
X
X
L
L
o
HCS21HMSR  
+25 C  
Die  
H
HX  
H
H
NOTE: L = Logic Level Low, H = Logic level High, X = Don’t  
Care  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518762  
File Number 3052.1  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
53  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HCS21HMSR INTERSIL Radiation Hardened Dual 4-Input AND Gate

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HCS21K INTERSIL Radiation Hardened Dual 4-Input AND Gate

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HCS21K/SAMPLE RENESAS HC/UH SERIES, DUAL 4-INPUT AND GATE, CDFP14

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HCS21KMSH RENESAS HC/UH SERIES, DUAL 4-INPUT AND GATE, CDFP14

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