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HCD70R600S

更新时间： 2022-02-26 12:42:04

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8页	265K
描述
700V N-Channel Super Junction MOSFET

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HCD70R600S 数据手册

Typical Characteristics (continued)

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1.2

1.1

1.0

0.9

ꢀꢁ Note :

ꢀ Note :

1. V_GS= 10 V

1. V_GS= 0 V

2. I_D= 3.5 A

2. I_D= 250PA

150 200

0.8

-100

-50

100

150 200

-50

100

T_J, Junction Temperature [^oC]

Figure 8. On-Resistance Variation

vs Temperature

Figure 7. Breakdown Voltage Variation

vs Temperature

10²

10¹

10⁰

Operation in This Area

is Limited by R _DS(on)

10 Ps

100 Ps

1 ms

10 ms

-1

* Notes :

1. T_C= 25 ^o

2. T_J= 150 ^o

3. Single Pulse

-2

10⁰

10¹

10²

10³

-1

100

125

150

T_C, Case Temperature [^oC]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 9. Maximum Safe Operating Area

Figure 10. Maximum Drain Current

vs Case Temperature

10⁰

D=0.5

* Notes :

0.2

1. Z_TJC(t) = 1.8 ^oC/W Max.

2. Duty Factor, D=t₁/t₂

3. T_JM- T_C= P_DM* Z_TJC(t)

0.1

0.05

-1

0.02

0.01

P_DM

single pulse

t₁

t₂

-2

10⁰

10¹

-5

-4

-3

-2

-1

t₁, Square Wave Pulse Duration [sec]

Figure 11. Transient Thermal Response Curve

క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳͥ͑͝ͻΦΟΖ͑ͣͦ͑͢͡

1 2 345 6 7 8

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