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HAL114SF-E

更新时间： 2024-02-03 17:02:37

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MICRONAS		传感器
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17页	147K
描述
Hall Effect Sensor Family

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HAL114SF-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.56	其他特性：	REVERSE VOLTAGE PROTECTION
主体宽度：	1.5 mm	主体高度：	3.05 mm
主体长度或直径：	4.06 mm	外壳：	PLASTIC
滞后：	28 mT	最大磁场范围：	11 mT
最小磁场范围：	-17 mT	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最大工作电流：	11 mA	最大输出电流：	20 mA
输出范围：	0.13-0.28V	输出类型：	ANALOG VOLTAGE
封装形状/形式：	RECTANGULAR	传感器/换能器类型：	MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
表面贴装：	NO	端接类型：	SOLDER
Base Number Matches：	1

HAL114SF-E 数据手册

HAL11x

3.6. Electrical Characteristics at T = –40 °C to +140 °C , V = 4.5 V to 24 V, as not otherwise specified in Conditions

Typical Characteristics for T = 25 °C and V = 12 V

Symbol

Parameter

Pin No.

Min.

Typ.

8.2

Max.

Unit

Conditions

T = 25 °C

Supply Current

Supply Current over

Temperature Range

3.9

8.2

Output Voltage over

Temperature Range

–

120

190

0.06

–

400

500

µA

µs

= 12.5 mA

= 20 mA

Output Voltage over

Temperature Range

Output Leakage Current

B < B ,

off

T = 25 °C, V = 0 to 24 V

Output Leakage Current over

Temperature Range

B < B ,

off

= 0 to 24V

Enable Time of Output after

= 12 V

en(O)

Setting of V

B > B + 2 mT or

B < B

– 2 mT

OFF

Output Rise Time

Output Fall Time

–

0.08

0.06

150

0.4

200

µs

= 12 V, R = 820 Ohm,

DD L

C = 20 pF

µs

= 12 V, R = 820 Ohm,

DD L

C = 20 pF

case

SOT-89A

SOT-89B

Thermal Resistance Junction

to Substrate Backside

K/W

Fiberglass Substrate

30 mm x 10 mm x 1.5mm,

pad size see Fig. 3–4

thJSB

case

Thermal Resistance Junction

to Soldering Point

–

150

200

K/W

thJA

TO-92UA

5.0

2.0

1.0

Fig. 3–4: Recommended pad size SOT-89x

Dimensions in mm

Micronas

1...4 5 678 9 10...17

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HAL114SO-E	MICRONAS	获取价格	Unipolar Hall Switch IC
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