5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 25 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GSTU8035 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta |
|
| GSTU8040 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta |
|
| GSTU8045 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta |
|
| GSU15D60 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220, 3/2 PIN |
|
| GSU31 | ETC |
获取价格 |
Peripheral IC |
|
| GSU36 | ETC |
获取价格 |
|
|
| GSU-36AF | ETC |
获取价格 |
|
|
| GSV22020-15 | GPSEMI |
获取价格 |
SURGE VOLTAGE SUPPRESSORS |
|
| GSV22020-16 | GPSEMI |
获取价格 |
SURGE VOLTAGE SUPPRESSORS |
|
| GSV22023-13 | GPSEMI |
获取价格 |
SURGE VOLTAGE SUPPRESSORS |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
