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GSF10A40B

更新时间: 2024-01-14 10:08:08
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NIEC /
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
FRD - Low Forward Voltage Drop

GSF10A40B 技术参数

生命周期:Active包装说明:SIMILAR TO TO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
其他特性:LOW POWER LOSS应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:120 A
元件数量:1相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V最大反向恢复时间:0.045 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE

GSF10A40B 数据手册

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FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE  
GSF10A40/GSF10A40B  
100  
50  
20  
10  
5
Tj=25°C  
Tj=150°C  
2
1
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
0°  
180°  
q
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION  
CONDUCTION ANGLE  
GSF10A40/GSF10A40B  
D.C.  
16  
12  
8
RECT 180°  
HALF SINE WAVE  
RECT 120°  
RECT 60°  
4
0
0
4
8
12  
16  
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)  

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