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GS8662QT37BGD-300I

更新时间： 2024-01-05 13:12:31
品牌 Logo 应用领域
GSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 501K
描述
72Mb SigmaQuad-IITM Burst of 2 SRAM

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GS8662QT37BGD-300I 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：165
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：5.21最长访问时间：0.45 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B165
JESD-609代码：e1长度：15 mm
内存密度：75497472 bit内存集成电路类型：QDR SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：165
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1.4 mm最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：13 mmBase Number Matches：1

GS8662QT37BGD-300I 数据手册

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GS8662QT07/10/19/37BD-357/333/300/250/200  
8M x 8 SigmaQuad-II SRAM—Top View  
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QVLD  
ODT  
SA  
SA  
NC  
TMS  
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm Body—1 mm Bump Pitch  
Notes:  
1. NW0 controls writes to D0:D3. NW1 controls writes to D4:D7.  
2. Pins A7 and B5 are the expansion addresses.  
Rev: 1.00b 8/2017  
2/28  
© 2011, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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