GS1JE

更新时间： 2024-09-29 10:35:47

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美微科 - MCC		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	245K
描述
1.0 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts

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GS1JE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214AC	包装说明：	SMAE, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

GS1JE 数据手册

GS1AE

THRU

GS1ME

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

Features

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

1.0 Amp

Silicon Rectifier

50 to 1000 Volts

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Easy Pick And Place

High Temp Soldering: 260°C for 10 Seconds At Terminals

Low Thermal Resistance

•

Maximum Ratings

DO-214AC

(SMAE)

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 15°C/W Junction To Lead

Cathode Band

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

GS1AE

GS1BE

GS1DE

GS1GE

GS1JE

GS1KE

GS1ME

GS1A

GS1B

GS1D

GS1G

GS1J

GS1K

GS1M

35V

70V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.079

.050

.002

---

MIN

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

DIM

MAX

.096

.075

.008

.02

MAX

2.44

1.90

.20

NOTE

2.01

1.27

.05

Average Forward

current

I_F(AV)

1.0A

T_J= 75°C

---

.51

.030

.189

.157

.090

.060

.208

.180

.115

.76

1.52

5.30

4.57

2.92

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

30A

8.3ms, half sine,

4.80

4.00

2.29

Maximum

I_FM= 1.0A;

T_J= 25°C*

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.090”

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.1V

10µA

50µA

T_J= 25°C

T_J= 125°C

0.085”

Typical Junction

Capacitance

C_J

15pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

0.070”

*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%

Note: 1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: A

2011/01/01

12 3 4

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与GS1JE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GS1J-E	GULFSEMI	获取价格	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER VOLT
GS1JEP	MCC	获取价格	DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, SMAE, 2 PIN, Signal Diode
GS1JE-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
GS1JE-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, SMAE, 2 PI
GS1JE-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SAME, 2 PIN
GS1JE-TPS05-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAE, 2 PIN
GS1JE-TPS05-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SAME, 2 PIN
GS1JF	SUNMATE	获取价格	1A patch rectifier diode 600V SMAF series
GS1JF	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT RECTIFIER
GS1JF-AU	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT RECTIFIER

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