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GRM21BR71H105KA12L

更新时间： 2024-01-02 01:12:25
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体电容器晶体管PC
页数 文件大小 规格书
27页 1432K
描述
RF Power LDMOS Transistors

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GRM21BR71H105KA12L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8532.24.00.20风险等级：7.14
Samacsys Confidence：5Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：235726Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：CapacitorSamacsys Package Category：Capacitor Chip Non-polarised
Samacsys Footprint Name：GRM21_0.10 L=2.0mm W=1.25mm T=1.25mmSamacsys Released Date：2016-03-08 16:54:24
Is Samacsys：N电容：1 µF
电容器类型：CERAMIC CAPACITOR介电材料：CERAMIC
高度：1.25 mmJESD-609代码：e3
长度：2 mm安装特点：SURFACE MOUNT
多层：Yes负容差：10%
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装形状：RECTANGULAR PACKAGE
封装形式：SMT包装方法：TR, EMBOSSED, 7 INCH
正容差：10%额定（直流）电压（URdc）：50 V
尺寸代码：0805表面贴装：YES
温度特性代码：X7R温度系数：15% ppm/ °C
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形状：WRAPAROUND
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

GRM21BR71H105KA12L 数据手册

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Document Number: AFT05MS031N  
Rev. 0, 6/2012  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power LDMOS Transistors  
High Ruggedness N--Channel  
AFT05MS031NR1  
AFT05MS031GNR1  
Enhancement--Mode Lateral MOSFETs  
Designed for mobile two--way radio applications with frequencies from  
136 to 520 MHz. The high gain, ruggedness and broadband performance of  
these devices make them ideal for large--signal, common source amplifier  
applications in mobile radio equipment.  
136--520 MHz, 31 W, 13.6 V  
WIDEBAND  
RF POWER LDMOS TRANSISTORS  
Typical Performance: (13.6 Vdc, T = 25°C, CW)  
A
Frequency  
(MHz)  
G
η
P1dB  
(W)  
ps  
D
(dB)  
18.3  
17.7  
17.7  
(%)  
64.1  
62.0  
71.4  
(1,3)  
380--450  
31  
31  
33  
(2,3)  
450--520  
(4)  
520  
T O -- 2 7 0 -- 2  
PLASTIC  
Load Mismatch/Ruggedness  
AFT05MS031NR1  
Signal  
Type  
Frequency  
(MHz)  
P
(W)  
Test  
Voltage  
out  
VSWR  
Result  
(4)  
520  
CW  
>65:1 at all  
47  
17  
No Device  
Phase Angles  
(3 dB Overdrive)  
Degradation  
1. Measured in 380--450 MHz UHF wideband reference circuit.  
2. Measured in 450--520 MHz UHF wideband reference circuit.  
3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the  
indicated frequency range.  
T O -- 2 7 0 -- 2 G U L L  
PLASTIC  
AFT05MS031GNR1  
4. Measured in 520 MHz narrowband test circuit.  
Features  
•
•
•
•
•
Characterized for Operation from 136 to 520 MHz  
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization  
Integrated ESD Protection  
Integrated Stability Enhancements  
Wideband — Full Power Across the Band:  
− 136--174 MHz  
Gate  
Drain  
− 380--450 MHz  
− 450--520 MHz  
•
•
•
•
•
225°C Capable Plastic Package  
Exceptional Thermal Performance  
High Linearity for: TETRA, SSB, LTE  
Cost--effective Over--molded Plastic Packaging  
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 24 mm Tape Width, 13 inch Reel.  
(Top View)  
Note: The backside of the package is the  
source terminal for the transistor.  
Figure 1. Pin Connections  
Typical Applications  
•
•
Output Stage VHF Band Mobile Radio  
Output Stage UHF Band Mobile Radio  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2012. All rights reserved.  
1234567...27

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GRM21BR71H105MA12 MURATA

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 		Chip Monolithic Ceramic Capacitor for General
GRM21BR71H105MA12# MURATA

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 		民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信
GRM21BR71H154JA01 MURATA

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 		Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose
GRM21BR71H154JA01# MURATA

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 		Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.
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