GP10D-BP

更新时间： 2024-02-03 13:01:35

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美微科 - MCC		/
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3页	86K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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GP10D-BP 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

GP10D-BP 数据手册

M C C

GP10A thru GP10M

Figure 1

Typical Forward Characteristics

Figure 2

Forward Derating Curve

1.2

1.0

25^OC

Amps

Single Phase, Half Wave

.06

60Hz Resistive or Inductive Load

100

^OC

125

150

175

.04

.02

.01

versus

Average Forward Rectified Current - Amperes

Ambient Temperature -^OC

1.4

1.0

1.2

Volts

Instantaneous Forward Current - Amperes versus

Instantaneous Forward Voltage - Volts

Figure 3

Junction Capacitance

100

T_J=25^OC

GP10A to GP10J

GP10K to GP10M

400

1000

10 20

versus

100 200

Volts

Junction Capacitance - pF

Reverse Voltage - Volts

www.mccsemi.com

123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GP10DE/100	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
GP10DE/4E	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
GP10DE/4H	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
GP10DE/53	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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