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GP10DI

更新时间： 2024-02-26 11:50:57

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Standard Rectifiers

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GP10DI 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

GP10DI 数据手册

GP10DI ........ GP10QI

1 Amp. Glass Passivated Junction Rectifier

Dimensions in mm.

DO-41

(Plastic)

Voltage

200V to 1200V

Current

1.0 A. at 55 °C.

5 ^+0.2

- 0

0.5

58.5

Mounting instructions

• Glass passivated junction

• High current capability

1. Min. distance from body to soldering point,

4 mm.

• The plastic material carries

U/L recognition 94 V-0

2. Max. solder temperature, 350 °C.

3. Max. soldering time, 3.5 sec.

• Terminals: Axial Leads

4. Do not bend lead at a point closer than

2 mm. to the body.

• Polarity: Color band denotes cathode

Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134

GP10DI GP10JI GP10MI GP10QI

200 V

600 V

1000V

1.0 A

1200 V

V_RRM

I_F(AV)

I_FRM

I_FSM

T_j

Peak recurrent reverse voltage

Forward current at Tamb = 55 °C

Recurrent peak forward current

10 A

50 A

8.3 ms. peak forward surge current

(Jedec Method)

Operating temperature range

Storage temperature range

– 65 to + 175 °C

T_stg

Maximum non repetitive peak

reverse avalanche energy.

E_RSM

20 mJ

= 0.5 A ; T = 25 ºC

Electrical Characteristics at Tamb = 25 °C

V_F

I_R

Max. forward voltage drop at I_F= 1 A

1.0 V

at 25 °C

Max. reverse current at V_RRM

at 125 °C

5 µ A

50 µ A

Max.

60 °C/W

45 °C/W

R_thj-a

Thermal resistance (I = 10 mm.)

Typ.

Jan - 03

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