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GM76U8128CLST-85

更新时间： 2024-01-29 16:05:39

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描述
x8 SRAM

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GM76U8128CLST-85 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.56,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	85 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

GM76U8128CLST-85 数据手册

GM76U8128CL/CLL

Absolute Maximum Ratings*

Symbol

Parameter

Rating

0 ~ 70

Unit

GM76U8128C

GM76U8128C-E

GM76U8128C-I

Ambient Temperature under Bias

-25 ~ 85

-40 ~ 85

TSTG

TSOL

VCC

VIN

VI/O

Storage Temperature

Soldering Temperature and Time

Supply Voltage

-55 ~ 150

260, 10 (at lead)

-0.5 ~ 4.6

C, S

Input Voltage

-0.5 ~ VCC + 0.5

0.7

Input and Output Voltage

Power Dissipation

*: Stresses greater than those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.

This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indi-

cated in the operating sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions

for extended periods may affect reliability.

Recommended DC Operating Conditions ( TA = - 40 ~ 85C)

Symbol

VCC

Parameter

Supply Voltage

Min

2.7

Typ

Max

3.3

Unit

3.0

VIH

Input High Voltage

Input Low Voltage

2.2

CC + 0.3

VIL

-0.3*

0.4

*Note :VIL(min) = -3.0V for <= 50ns pulse

Truth Table

/CS1

CS2

/OE

/WE

A0 to A16

DATA I/O

Output Data

Input Data

Hi-Z

MODE

Stable

Read

Write

OutputDisable

Hi-Z

Standby

Hi-Z

*Note: X means don't care

110

123 4 5 6 7...11

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