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GM76U8128CLST-85

更新时间： 2024-01-16 09:06:30

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x8 SRAM

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GM76U8128CLST-85 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.56,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	85 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.04 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

GM76U8128CLST-85 数据手册

浏览型号GM76U8128CLST-85的Datasheet PDF文件第10页

GM76U8128CL/CLL

32 TSOP I (8x20mm)

/OE

A10

/CS1

I/O7

A11

A13

/WE

CS2

A15

VCC

N.C

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

VSS

I/O2

I/O1

I/O0

A16

A14

A12

0.720(18.30) MIN

0.728(18.50) MAX

0.006(0.15) MIN

0.000(0.00) MAX

0.780(19.80) MIN

0.795(20.20) MAX

0.039(1.0) MIN

0.047(1.2) MAX

0.016(0.40) MIN

0.024(0.60) MAX

32Small TSOP-I(8x13.4mm)

/OE

A10

/CS1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

VSS

I/O2

I/O1

I/O0

A11

A13

/WE

CS2

A15

VCC

N.C

A16

A14

A12

0.461(11.70) MIN

0.467(11.86) MAX

0.002(0.05) MIN

0.006(0.15) MAX

0.527(13.30) MIN

0.528(13.50) MAX

0.035(1.2) MIN

0.044(1.0) MAX

0.020(0.6) MIN

0.019(0.4) MAX

119

1...8 9 1011

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