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GM76U8128CLL-85

更新时间: 2024-02-06 01:01:09
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 415K
描述
x8 SRAM

GM76U8128CLL-85 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000015 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.04 mA
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

GM76U8128CLL-85 数据手册

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