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GM76U256CLE-12

更新时间： 2024-02-04 18:00:05

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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11页	175K
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x8 SRAM

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GM76U256CLE-12 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
长度：	37.008 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.826 mm	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

GM76U256CLE-12 数据手册

GM76U256C Series

WRITE CYCLE 1(/OE Clocked)

tWC

ADDR

tAW

tCW

tAS

tWR

tWP

tDW

tDH

Data Valid

Data In

tOHZ

Data

Out

WRITE CYCLE 2 (/OE Low Fixed)

tWC

ADDR

tAW

tCW

tWR

tAS

tWP

tDW

tDH

Data Valid

tOW

Data In

tWHZ

(8)

(7)

Data

Out

Rev 02 / Apr. 2001

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