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GM76C256CL-55W PDF预览

GM76C256CL-55W

更新时间: 2024-01-18 16:11:14
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 144K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

GM76C256CL-55W 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.78
最长访问时间:120 ns其他特性:ALSO OPERATES WITH 5V SUPPLY
JESD-30 代码:R-PDIP-T28长度:37.008 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.826 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

GM76C256CL-55W 数据手册

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GM76C256CW Series  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The GM76C256CW is a high-speed, low power  
and 32,786 X 8-bits CMOS Static Random  
Access Memory fabricated using Hyundai's high  
performance CMOS process technology. It is  
suitable for use in low voltage operation and  
battery back-up application. This device has a  
data retention mode that guarantees data to  
remain valid at the minimum power supply  
voltage of 2.0 volt.  
·
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Low power consumption  
Battery backup(L/LL-part)  
- 2.0V(min.) data retention  
Standard pin configuration  
- 28 pin 600mil PDIP  
- 28 pin 330mil SOP  
- 28 pin 8x13.4 mm TSOP-I  
(Standard)  
·
Product  
No.  
GM76C256CW  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
55/70  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
0~70(Normal)  
L
LL  
20  
10  
5.0  
3.0  
10  
2
40  
20  
120/150  
Note 1. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A14  
A12  
A7  
Vcc  
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
/WE  
A13  
A8  
/WE  
A13  
A8  
/OE  
A11  
A9  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
Vss  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
3
1
2
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
3
A6  
4
A6  
4
3
A5  
A9  
5
A5  
A9  
5
A8  
4
A4  
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
6
A11  
/OE  
A10  
/CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A4  
6
A13  
/WE  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
5
A3  
7
A3  
7
6
A2  
8
A2  
7
8
A1  
8
9
A1  
9
9
A0  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
10  
11  
12  
13  
14  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
Vss  
A6  
A5  
A4  
A1  
A3  
A2  
PDIP  
SOP  
TSOP-I(Standard)  
PIN DESCRIPTION  
BLOCK DIAGRAM  
ROW DECODER  
I/O1  
A0  
Pin Name  
Pin Function  
Chip Select  
Write Enable  
/CS  
/WE  
MEMORY ARRAY  
512x512  
/OE  
Output Enable  
Address Inputs  
Data Input/Output  
Power(+5.0V)  
Ground  
A0 ~ A14  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
A14  
I/O8  
/CS  
Vss  
/OE  
/WE  
Rev 00 / Jul. 2000  
2

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