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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GM76C256CL-85E | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28 |
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| GM76C256CLE | HYNIX | 32K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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| GM76C256CLE-55 | ETC | x8 SRAM |
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| GM76C256CLE-70 | ETC | x8 SRAM |
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| GM76C256CLE-85 | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| GM76C256CLEFW | HYNIX | 32K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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