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GM72V66841CT/CLT

更新时间： 2024-01-25 05:28:07

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乐金电子 - LG		/
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57页	591K
描述
2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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技术参数
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GM72V66841CT/CLT 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.31
最长访问时间：	6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

GM72V66841CT/CLT 数据手册

LG Semicon

GM72V66841CT/CLT

Pin Description(Continued)

Pin Name

DESCRIPTION

Data is input and output from these pins. These pins are the same as those of a

conventional DRAM.

DQ0 ~ DQ7

(I/O pins)

VCC and VCCQ

(Power supply pins)

3.3 V is applied. (VCC is for the internal circuit and VCCQ is for the output

buffer.)

VSS and VSSQ

Ground is connected. (VSS is for the internal circuit and VSSQ is for the output

(Power supply pins) buffer.)

No Connection pins.

Command Operation

Command Truth Table

The synchronous DRAM recognizes the following commands specified by the CS, RAS, CAS, WE

and address pins.

CKE

A12~

A13

A0~

A11

Function

Symbol

CS RAS CAS WE

A10

n-1

Ignore command

No Operation

DESL

NOP

BST

Burst stop in full page

Column address and

read command

READ

READ A

WRIT

Read with auto-Precharge

Column address and

write command

WRIT A

ACTV

PRE

Write with auto-Precharge

Row address strobe and

bank active

Precharge select bank

Precharge all banks

PALL

REF/SELF

MRS

Refresh

Mode register set

* Notes : H: VIH, L: VIL, X: VIH or VIL, V: Valid address input

1 2 3 456 7 8...57

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