是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G20 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 4 | 端子数量: | 20 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP20/26,.36 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
反向引出线: | YES | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM71V4403ER-80 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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GM71V4403ET-60 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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GM71V4403ET-70 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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GM71V4403ET-80 | ETC | x4 EDO Page Mode DRAM |
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GM71V64400C(CL) | ETC | 16Mx4|3.3V|8K|5/6|FP/EDO DRAM - 64M |
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GM71V64400CJ-5 | ETC | x4 Fast Page Mode DRAM |
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