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GM71V17800CT-7

更新时间: 2024-02-12 13:16:02
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
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9页 101K
描述
x8 Fast Page Mode DRAM

GM71V17800CT-7 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP2, TSOP28,.46
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.79Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP28,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

GM71V17800CT-7 数据手册

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GM71V17800C  
GM71VS17800CL  
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle  
GM71V(S)17800 GM71V(S)17800 GM71V(S)17800  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
PRWC  
Fast Page Mode Read-Modify-Write  
Cycle Time  
76  
53  
-
-
85  
60  
-
-
96  
68  
-
-
ns  
tCPW  
14  
WE Delay Time from CAS Precharge  
ns  
Refresh  
GM71V(S)17800 GM71V(S)17800 GM71V(S)17800  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit  
Symbol  
Parameter  
Note  
Min Max Min Max Min Max  
2048  
cycles  
t
REF  
Refresh Period  
-
-
32  
-
-
32  
-
-
32  
ms  
ms  
2048  
cycles  
tREF  
Refresh Period(L-series)  
128  
128  
128  
Self Refresh Mode(L-version)  
GM71VS17800  
CL-5  
GM71VS17800  
CL-6  
GM71VS17800  
CL-7  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Note  
Min Max Min Max Min Max  
t
RASS  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
us  
ns  
RAS Pulse Width(Self-Refresh)  
RAS Precharge Time(Self-Refresh)  
CAS Hold Time(Self-Refresh)  
100  
90  
100  
110  
100  
130  
tRPS  
tCHS  
-50  
-50  
-50  
ns  
Rev 0.1 / Apr’01  

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