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GM71CS17803CLJ-7

更新时间: 2024-02-26 15:13:58
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9页 105K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

GM71CS17803CLJ-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.79
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH; BATTERY BACKUP OPERATIONI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ28,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
自我刷新:YES最大待机电流:0.00015 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

GM71CS17803CLJ-7 数据手册

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GM71C17803C  
GM71CS17803CL  
Capacitance (VCC = 5V+/ - 10%, TA = 25C)  
Symbol  
Parameter  
Input Capacitance (Address)  
Input Capacitance (Clocks)  
Output Capacitance (Data-In/Out)  
Min  
Max  
Unit  
pF  
Note  
1
CI1  
-
-
-
5
7
7
pF  
CI2  
1
pF  
CI/O  
1, 2  
Note: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. CAS = VIH to disable DOUT  
.
AC Characteristics (VCC = 5V+/-10%, TA = 0 ~ +70C, Vss = 0V Note 1, 2, 18)  
Test Conditions  
Input rise and fall times : 2 ns  
Input timing reference levels : 0.8V, 2.4V  
Output timing reference levels : 0.8V, 2.0V  
Output load : 1TTL gate + CL (100 pF)  
(Including scope and jig)  
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common Parameters)  
GM71C(S)17803 GM71C(S)17803 GM71C(S)17803  
C/CL-5  
C/CL-6  
C/CL-7  
Unit  
Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
Random Read or Write Cycle Time  
RAS Precharge Time  
84  
30  
-
-
104  
40  
-
-
124  
50  
-
-
ns  
ns  
t
RC  
tRP  
CAS Precharge Time  
7
-
10  
60  
-
13  
70  
-
ns  
t
CP  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
RAS  
CAS  
ASR  
RAH  
ASC  
CAH  
RCD  
RAD  
RSH  
CSH  
CRP  
ODD  
DZO  
DZC  
RAS Pulse Width  
50 10,000  
10,000  
10,000  
t
CAS Pulse Width  
7
0
7
0
10,000 10 10,000 13 10,000  
t
Row Address Set up Time  
Row Address Hold Time  
Column Address Set-up Time  
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
0
10  
0
-
-
-
-
t
t
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Column Address Hold Time  
RAS to CAS Delay Time  
RAS to Column Address Delay Time  
RAS Hold Time  
7
11  
9
-
37  
25  
-
10  
13  
14 45  
12 30  
14 52  
12 35  
3
4
t
t
t
10  
35  
5
13  
40  
5
-
-
13  
45  
5
-
-
CAS Hold Time  
-
t
CAS to RAS Precharge Time  
OE to DIN Delay Time  
-
-
-
t
t
13  
0
-
15  
0
-
18  
0
-
5
6
6
7
t
OE Delay Time from DIN  
CAS Delay Time from DIN  
Transition Time (Rise and Fall)  
-
-
-
0
-
0
-
0
-
t
tT  
2
50  
2
50  
2
50  
Rev 0.1 / Apr’01  

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