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GM71C4400CLJ-80

更新时间: 2024-02-06 05:36:47
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 103K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20,

GM71C4400CLJ-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.4
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J20JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ20/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:NO最大待机电流:0.0002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

GM71C4400CLJ-80 数据手册

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GM71C(S)4400C/CL  
LG Semicon  
Read Cycle  
GM71C(S)4400 GM71C(S)4400 GM71C(S)4400  
C/CL-60 C/CL-70 C/CL-80  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
RAC  
CAC  
Access Time from RAS  
-
-
60  
15  
-
-
70  
20  
-
-
80  
20  
ns  
ns  
2,3,17  
3, 4,  
13, 17  
Access Time from CAS  
3, 5,  
13, 17  
t
AA  
Access Time from Address  
-
-
30  
-
-
35  
-
-
40  
ns  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
OAC  
RCS  
Access Time from OE  
15  
-
20  
-
20  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
3,17  
Read Command Setup Time  
Read Command Hold Time to CAS  
Read Command Hold Time to RAS  
Column Address to RAS Lead Time  
Output Buffer Turn-off Time  
Output Buffer Turn-off Time from OE  
CAS to DIN Delay Time  
0
0
0
RCH  
RRH  
RAL  
OFF1  
OFF2  
CDD  
OEP  
0
0
-
0
0
-
0
0
-
18  
18  
-
-
-
30  
0
-
35  
0
-
40  
0
-
15  
15  
-
15  
15  
-
15  
15  
-
6
6
0
0
0
15  
15  
20  
20  
20  
20  
OE Pulse width  
-
-
-
Write Cycle  
GM71C(S)4400 GM71C(S)4400 GM71C(S)4400  
C/CL-60 C/CL-70 C/CL-80  
Unit Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
t
t
WCS  
WCH  
Write Command Setup Time  
Write Command Hold Time  
Write Command Pulse Width  
Write Command to RAS Lead Time  
Write Command to CAS Lead Time  
Data-in Setup Time  
0
15  
10  
15  
15  
0
-
-
-
-
-
-
-
0
15  
10  
20  
20  
0
-
-
-
-
-
-
-
0
15  
10  
20  
20  
0
-
-
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
10  
t
WP  
t
t
t
t
RWL  
CWL  
DS  
11  
11  
DH  
Data-in Hold Time  
15  
15  
15  
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