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GM71C4400CLJ-60

更新时间： 2024-01-31 18:09:15

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海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	103K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20

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GM71C4400CLJ-60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.42
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ20/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

GM71C4400CLJ-60 数据手册

GM71C(S)4400C/CL

LG Semicon

Package Dimension

20 (26) SOJ

Unit: Inches (mm)

0.025(0.63) MIN

0.039(1.00) MAX

0.008(0.20)

0.085(2.16) MIN

0.103(2.61) MAX

0.661(16.80) MIN

0.669(17.00) MAX

0.128(3.25) MIN

0.148(3.76) MAX

0.050(1.27)

TYP

0.026(0.66) MIN

0.036(0.91) MAX

0.015(0.38) MIN

0.021(0. 53) MAX

20 (26) TSOP II

0 ~ 8 ^o

0.012(0.30) MIN

0.028(0.70) MAX

0.009(0.22) MAX

0.667(16.94) MIN

0.690(17.54) MAX

0.041(1.03) MIN

0.048(1.23) MAX

0.012(0.30) MIN

0.020(0.50) MAX

0.050(1.27)

TYP

0.001(0.03) MIN

0.009(0.23) MAX

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