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GM71C17803CT-7

更新时间： 2024-01-10 06:05:59
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 105K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

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GM71C17803CT-7 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP28,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GM71C17803CT-7 数据手册

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GM71C17803C  
GM71CS17803CL  
DC Electrical Characteristics (VCC = 5V+/-10%, Vss = 0V, TA = 0 ~ 70C)  
Symbol  
Parameter  
Min Max Unit Note  
V
OH  
Output Level  
Output "H" Level Voltage (IOUT = -2mA)  
2.0  
0
V
CC  
V
V
Output Level  
Output "L" Level Voltage (IOUT = 2mA)  
V
OL  
0.4  
50ns  
60ns  
70ns  
-
-
-
130  
120  
110  
I
CC1  
Operating Current  
Average Power Supply Operating Current  
(RAS, CAS Cycling: tRC = tRC min)  
mA  
mA  
mA  
1, 2  
I
I
CC2  
CC3  
Standby Current (TTL)  
Power Supply Standby Current  
(RAS, CAS = VIH, DOUT = High-Z)  
-
2
50ns  
60ns  
70ns  
-
-
-
130  
120  
RAS Only Refresh Current  
Average Power Supply Current  
RAS Only Refresh Mode  
(tRC = tRC min)  
2
110  
130  
120  
110  
1
I
CC4  
EDO Page Mode Current  
Average Power Supply Current  
EDO Page Mode  
50ns  
60ns  
70ns  
-
-
-
mA  
1, 3  
(tHPC = tHPC min)  
Standby Current (CMOS)  
Power Supply Standby Current  
(RAS, CAS >VCC - 0.2V, DOUT = High-Z)  
I
I
I
CC5  
CC6  
CC7  
-
-
mA  
uA  
150  
5
50ns  
60ns  
-
-
130  
120  
CAS-before-RAS Refresh Current  
(tRC = tRC min)  
mA  
uA  
70ns  
110  
-
-
Battery Back Up Operating Current(Standby with CBR Refresh)  
(CBR refresh, tRC=62.5us, tRAS<=0.3us,  
500  
4,5  
D
OUT=High-Z ,CMOS interface)  
Standby Current RAS = VIH  
CAS = VIL  
I
I
CC8  
CC9  
-
5
mA  
uA  
uA  
uA  
1
5
D
OUT = Enable  
Self-Refresh Mode Current  
(RAS, CAS<=0.2V, DOUT=High-Z)  
-
300  
10  
Input Leakage Current  
Any Input (0V<=VIN<= 6V)  
I
L(I)  
-10  
-10  
Output Leakage Current  
(DOUT is Disabled, 0V<=VOUT<= 6V)  
I
L(O)  
10  
Note: 1. ICC depends on output load condition when the device is selected.  
CC(max) is specified at the output open condition.  
2. Address can be changed once or less while RAS = VIL  
I
.
3. Address can be changed once or less while CAS = VIH  
4. CAS = L (<=0.2V) while RAS = L (<=0.2V).  
5. L-version.  
.
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...9

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