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GM71C17803CT-6

更新时间: 2024-02-15 01:30:52
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
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9页 105K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

GM71C17803CT-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP2, TSOP28,.46
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.74Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP28,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

GM71C17803CT-6 数据手册

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GM71C17803C  
GM71CS17803CL  
Read Cycle  
GM71C(S)17803 GM71C(S)17803 GM71C(S)17803  
C/CL-5 C/CL-6 C/CL-7  
Unit  
Note  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min Max  
Access Time from RAS  
-
-
-
-
50  
13  
25  
13  
-
-
-
-
-
60  
15  
30  
15  
-
-
-
-
-
70  
18  
35  
18  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
8,9  
9,10,17  
9,11,17  
9
t
RAC  
CAC  
AA  
OAC  
RCS  
RCH  
Access Time from CAS  
t
Access Time from Address  
Access Time from OE  
t
t
Read Command Setup Time  
Read Command Hold Time to CAS  
0
0
t
0
0
-
0
-
0
-
12  
12  
t
-
-
-
-
-
Read Command Hold Time to RAS  
Column Address to RAS Lead Time  
5
5
5
t
RRH  
RAL  
CAL  
CLZ  
OH  
OHO  
OFF  
OEZ  
CDD  
RCHR  
25  
-
30  
35  
t
-
Column Address to CAS Lead Time  
CAS to Output in Low-Z  
15  
0
18  
0
-
-
23  
0
-
-
-
-
t
-
t
3
-
Output Data Hold Time  
3
-
3
t
3
-
Output Data Hold Time from OE  
Output Buffer Turn-off Time  
Output Buffer Turn-off Time to OE  
CAS to DIN Delay Time  
3
-
3
t
-
-
13  
13  
-
15  
15  
-
-
15  
15  
-
13  
13  
5
t
-
-
-
t
13  
50  
3
15  
60  
18  
t
t
-
-
-
-
70  
3
Read Command Hold Time from RAS  
Output Data hold Time from RAS  
Output Buffer turn off to RAS  
Output Buffer turn off to WE  
-
-
3
-
t
OHR  
-
-
-
15  
13  
15  
t
OFR  
-
t
WEZ  
-
ns  
ns  
13  
-
15  
-
15  
-
t
WDD  
13  
15  
18  
WE to DIN Delay Time  
RAS to DIN Delay Time  
t
RDD  
13  
-
15  
-
18  
-
ns  
Rev 0.1 / Apr’01  

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