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GM71C17403CLJ-6

更新时间： 2024-02-29 07:40:53
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 100K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

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GM71C17403CLJ-6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ24/26,.34
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.75Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J24JESD-609代码：e0
长度：16.9 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ24/26,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048座面最大高度：3.75 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.00015 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

GM71C17403CLJ-6 数据手册

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GM71C(S)17403C/CL  
DC Electrical Characteristics (VCC = 5.0V+/-10%, VSS = 0V, TOPR = 0 ~ 70C)  
Symbol  
Parameter  
Min Max Unit Note  
Output Level  
Output "H" Level Voltage (IOUT = -2mA)  
V
OH  
2.0  
0
V
CC  
V
V
V
OL  
Output Level  
Output "L" Level Voltage (IOUT = 2mA)  
0.4  
50ns  
60ns  
70ns  
-
-
120  
110  
Operating Current  
Average Power Supply Operating Current  
(RAS, CAS Cycling : tRC = tRC min)  
I
CC1  
mA  
mA  
mA  
1, 2  
-
100  
Standby Current (TTL)  
Power Supply Standby Current  
(RAS, CAS = VIH, DOUT = High-Z)  
I
I
CC2  
CC3  
-
2
50ns  
60ns  
-
-
100  
90  
RAS Only Refresh Current  
Average Power Supply Current  
RAS Only Refresh Mode  
(tRC = tRC min)  
2
-
-
70ns  
50ns  
60ns  
80  
90  
80  
EDO Page Mode Current  
Average Power Supply Current  
EDO Page Mode  
I
CC4  
mA  
1, 3  
-
-
(tHPC = tHPC min)  
70ns  
70  
1
Standby Current (CMOS)  
Power Supply Standby Current  
(RAS, CAS >= VCC - 0.2V, DOUT = High-Z)  
I
I
CC5  
CC6  
-
-
-
-
-
mA  
uA  
150  
100  
90  
5
50ns  
60ns  
70ns  
CAS-before-RAS Refresh Current  
(tRC = tRC min)  
mA  
80  
Battery Backup Operating Current(Standby with CBR Refresh)  
(CBR refresh, tRC = 62.5us, tRAS <= 0.3us,  
I
I
CC7  
CC8  
-
-
350  
5
uA  
4,5  
1
D
OUT = High-Z, CMOS interface)  
Standby Current RAS = VIH  
CAS = VIL  
mA  
D
OUT = Enable  
Input Leakage Current  
Any Input (0V<=VIN<= 6V)  
I
L(I)  
-10  
-10  
10  
10  
uA  
uA  
I
L(O)  
Output Leakage Current  
(DOUT is Disabled, 0V<=VOUT<= 6V)  
Note: 1. ICC depends on output load condition when the device is selected.  
CC(max) is specified at the output open condition.  
2. Address can be changed once or less while RAS = VIL  
I
.
3. Address can be changed once or less while CAS = VIH  
4. CAS = L (<=0.2) while RAS = L (<=0.2).  
5. L-version.  
.
Rev 0.1 / Apr’01  
1234567...10

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