5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > GI856/68
GI856/68 PDF预览

GI856/68

更新时间： 2024-02-20 23:07:52
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 293K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

获取价格

GI856/68 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-201AD包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.53其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.2 µs
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GI856/68 数据手册

 浏览型号GI856/68的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GI856/68的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GI856/68的Datasheet PDF文件第4页 
GI850 thru GI858  
Vishay General Semiconductor  
Electrical Characteristics  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Maximum  
instantaneous  
forward voltage  
Test condition  
at 3.0 A  
at 9.4 A, TJ = 175 °C  
Symbol  
VF  
GI850  
150  
GI851  
150  
GI852  
200  
GI854  
250  
GI856  
300  
GI858  
500  
Unit  
V
1.25  
1.10  
MaximumDCreverse  
current at rated DC  
blocking voltage  
TA = 25 °C  
TA = 100 °C  
IR  
10  
µA  
ns  
Maximum reverse  
recovery time  
at IF = 1.0 A, VR = 30 V,  
trr  
200  
di/dt = 50 A/µs,  
Irr = 10 % IRM  
Maximum reverse  
recovery time  
at IF = 1.0 A, VR = 30 V,  
IRM(REC)  
2.0  
28  
A
di/dt = 50 A/µs,  
Irr = 10 % IRM  
Typical junction  
capacitance  
at 4.0 V, 1 MHz  
CJ  
pF  
Thermal Characteristics  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Typical thermal resistance (1)  
Symbol  
RθJA  
RθJL  
GI850  
GI851  
GI852  
GI854  
GI856  
GI858  
Unit  
22  
8.0  
°C/W  
Notes:  
(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375" (9.5 mm) lead length, with both leads equally heat sink  
Ratings and Characteristics Curves  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
200  
100  
8.0  
6.0  
4.0  
L = Lead Length  
TL = Lead Temperature  
8.3 ms Single Half Sine-Wave  
Non-Repetitive  
TJ = 25 °C  
0.8 x 0.8 x 0.40"  
(20 x 20 x 1mm)  
Copper Heatsinks  
L = 0.375" (9.5mm)  
Lead Length  
TJ = 150 °C  
TJ = 25 °C  
TA = Ambient Temperature  
0.375" (9.5mm) Lead Length  
2.0  
0
TJ = 150 °C  
Repetitive  
10  
50  
30  
70  
90  
Temperature (°C)  
Figure 1. Forward Current Derating Curves  
110  
130  
150  
170  
1
10  
100  
Number of Cycles at 60 Hz  
Figure 2. Maximum Peak Forward Surge Current  
www.vishay.com  
2
Document Number 88630  
10-Oct-05  
1234

下载PDF

与GI856/68相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
GI856/70 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

获取价格
GI856/71 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

获取价格
GI856/72 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

获取价格
GI856/73 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

获取价格
GI856/90 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

获取价格
GI856/92 VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

获取价格

与GI856/68相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证