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GI810/72

更新时间： 2024-02-26 21:30:08

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	328K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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GI810/72 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-15	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.79	其他特性：	PATENTED DEVICE, METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AC	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.75 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GI810/72 数据手册

GI810 thru GI818

Vishay General Semiconductor

Electrical Characteristics

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

Test condition

at 1.0 A

Symbol GI810 GI811 GI812 GI814 GI816 GI817 GI818 Unit

Maximum instantaneous

forward voltage

V_F

1.2

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

T_A= 25 °C

T_A= 100 °C

I_R

100

µA

Maximum reverse recovery

time

I_F= 1.0 A, V_R= 30 V,

di/dt = 50 A/µs

t_rr

750

Typical junction capacitance

at 4.0 V, 1 MHz

C_J

Thermal Characteristics

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

Typical thermal resistance ⁽¹⁾

Notes:

Symbol GI810 GI811 GI812 GI814 GI816 GI817 GI818 Unit

R_θJA45 °C/W

(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted

Ratings and Characteristics Curves

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

TA = 75 °C

8.3 ms Single Half Sine Wave

(JEDEC Method)

Resistive or

Inductive Load

0.375" (9.5mm) Lead Length

100

120 140

160

180

Ambient Temperature (°C)

Number of Cycles at 60 Hz

Figure 1. Forward Current Derating Curve

Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current

www.vishay.com

Document Number 88628

12-Oct-05

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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