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GFB75N03-31B

更新时间： 2024-02-04 04:40:52

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威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	103K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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技术参数
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GFB75N03-31B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

GFB75N03-31B 数据手册

GFB75N03

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

30V R

6.5mΩ I 80A

DS(ON)

TO-263AB

0.160 (4.06)

0.190 (4.83)

0.380 (9.65)

0.420 (10.67)

0.045 (1.14)

0.055 (1.40)

0.42

(10.66)

0.21 (5.33)

Min.

0.33

(8.38)

0.055 (1.39)

0.066 (1.68)

0.320 (8.13)

0.360 (9.14)

0.575 (14.60)

0.625 (15.88)

0.63

(17.02)

Dimensions in inches

and (millimeters)

Seating Plate

Mounting Pad

Layout

0.120 (3.05)

0.155 (3.94)

-T-

0.12

(3.05)

0.014 (0.35)

0.096 (2.43)

0.102 (2.59)

0.020 (0.51)

0.027 (0.686)

0.037 (0.940)

0.100 (2.54)

0.130 (3.30)

0.08

(2.032)

0.24

(6.096)

Mechanical Data

Features

Case: JEDEC TO-263 molded plastic body

• Advanced Trench Process Technology

Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

• High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance

• Specially Designed for Low Voltage DC/DC Converters

• Fast Switching for High Efficiency

High temperature soldering guaranteed:

250°C/10 seconds at terminals

Mounting Position: Any

Weight: 1.3g

Packaging Codes – Options:

31B – 800 per 13” reel (16mm tape), 4K per carton

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current⁽¹⁾

Pulsed Drain Current

I_DM

240

T_A= 25°C

T_A= 100°C

69.4

27.8

Maximum Power Dissipation

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

Lead Temperature (1/8” from case for 5 sec.)

Junction-to-Case Thermal Resistance

T_J, T_stg

T_L

–55 to 150

°C

275

1.8

R_θJC

R_θJA

°C/W

Junction-to-Ambient Thermal Resistance

Notes: (1) Maximum DC current limited by the package

2/19/01

(2) 1-in²2oz. Cu PCB mounted

12 3 4 5

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