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GE9435

更新时间： 2024-10-01 05:34:43
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其他 - ETC /
页数 文件大小 规格书
4页 264K
描述
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
GEMOS  
GE9435  
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
DESCRIPTION  
The GE9435 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge. It has been optimized for  
power management applications requiring a wide range of  
gave drive voltage ratings (4.5V – 25V).  
Schematic diagram  
GENERAL FEATURES  
● VDS = -30V,ID = -5.3A  
RDS(ON) < 90mΩ @ VGS=-4.5V  
RDS(ON) < 53mΩ @ VGS=-10V  
● High Power and current handing capability  
● Lead free product is acquired  
● Surface Mount Package  
Marking and pin Assignment  
APPLICATIONS  
● Battery protection  
● Load switch  
● Power management  
SOP-8 top view  
PACKAGE MARKING AND ORDERING INFORMATION  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
9435  
GE9435  
SOP-8  
Ø330mm  
12mm  
3000 units  
ABSOLUTE MAXIMUM RATLNGS(TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
-30  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VGS  
±20  
V
ID  
-5.3  
A
Drain Current-Continuous @ Current-Pulsed  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1)  
IDM  
-20  
A
PD  
2.5  
W
℃
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ，TSTG  
-55 to 150  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient  
(Note 2)  
RθJA  
50  
℃/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V,ID=-250µA  
VDS=-24V,VGS=0V  
VGS=±20V,VDS=0V  
-30  
V
-1  
µA  
nA  
IGSS  
±100  
ON CHARACTERISTICS  
(Note 3)  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
RDS(ON)  
gFS  
VDS=VGS,,ID=-250µA  
VGS=-10V, ID=-5.3A  
VGS=-4.5V, ID=-4.2A  
VDS=-15V, ID=-5.3A  
-1  
4
-3  
53  
90  
V
46  
74  
7
mΩ  
mΩ  
S
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
捷拓科技有限公司  
GEMOS(SHEN ZHEN) TECHNOLOGY LIMITED COMPANY  
地
電
址：廣東省深圳市福田區南園路68号上步大廈18樓I-L室  
話：0755-83661391 真：0755-83661909  
公司網站：www.gemostech.com  
ADD:Room I-L,18F,Shangbu Bldg.,NO.68 Nanyuan Road, Futian District,Shenzhen China.  
傳
Tel:0755-83661391  
Postcode:518031  
Fax:0755-83661909  
Website:www.gemostech.com  
郵政編碼：518031  
GEMOS TECH CO., LTD. 2007  
©
1234

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