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GE200NB60S

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	275K
描述
N-CHANNEL 150A - 600V - ISOTOP PowerMESH⑩ IGBT

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GE200NB60S 数据手册

Electrical characteristics

STGE200NB60S

2.1

Electrical characteristics (curves)

Figure 1.

Output characteristics

Figure 2.

Transfer characteristics

Figure 3.

Figure 5.

6/13

Transconductance

Figure 4.

Collector-emitter on voltage vs

temperature

Gate charge vs gate-source voltage Figure 6.

Capacitance variations

1...3 4 567 8 9...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GE2026	GTM	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	获取价格
GE20K-DIE	ETC	ASIC	获取价格
GE20N03	GTM	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
GE2138	GTM	1.5A LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR	获取价格
GE2138	ETL	1 . 5 A C M O S L o w D r o p o u t V o l t a g e R e g u l a t o r	获取价格
GE2138-15	ETL	1 . 5 A C M O S L o w D r o p o u t V o l t a g e R e g u l a t o r	获取价格