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GE-N-M1

更新时间: 2024-01-17 06:55:00
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 光电
页数 文件大小 规格书
2页 190K
描述
Optoelectronic

GE-N-M1 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.6最小探测灵敏度:80000000000 cm Hz<sup>1 /<sub>2</sub></sup> w<sup>-1</sup>
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT光敏面积:2.1 mm2
半导体材料:Germanium传感器/换能器类型:INFRARED SENSOR,PHOTOCONDUCTIVE
光谱响应 (nm):600-1900子类别:Infrared Sensors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

GE-N-M1 数据手册

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