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GD225HTL120C7S

更新时间： 2024-04-09 19:00:29
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斯达半导体 - STARPOWER /
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6页 410K
描述
C7.0.Tri-Pack

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GD225HTL120C7S  
IGBT Module  
IGBT-inverter TC=25℃ unless otherwise noted  
Maximum Rated Values  
Symbol  
VCES  
VGES  
Description  
Collector-Emitter Voltage @ Tj=25℃  
Gate-Emitter Voltage  
GD225HTL120C7S  
Units  
V
1200  
±20  
400  
V
Collector Current @ TC=25℃  
@ TC=100℃  
IC  
A
225  
ICM  
Ptot  
Pulsed Collector Current tp=1ms  
Total Power Dissipation @ Tj=175℃  
450  
A
1973  
W
Off Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
Collector-Emitter  
V(BR)CES  
Tj=25℃  
1200  
V
Breakdown Voltage  
VCE=VCES,VGE=0V,  
Tj=25℃  
ICES  
IGES  
Collector Cut-Off Current  
5.0  
mA  
nA  
Gate-Emitter Leakage  
Current  
VGE=VGES,VCE=0V,  
Tj=25℃  
400  
On Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
IC=9.0mA,VCE=VGE,  
Tj=25℃  
Min. Typ. Max. Units  
Gate-Emitter Threshold  
Voltage  
VGE(th)  
5.0  
6.2  
7.0  
V
IC=225A,VGE=15V,  
Tj=25℃  
1.90  
2.10  
2.35  
Collector to Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
V
IC=225A,VGE=15V,  
Tj=125℃  
Switching Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Gate charge  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
QG  
td(on)  
tr  
VGE=-15…+15V  
2.3  
168  
75  
μC  
ns  
ns  
ns  
ns  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
td(off)  
tf  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
440  
55  
VCC=600V,IC=225A,  
RG=5.0Ω,VGE=±15 V,  
Tj=25℃  
Turn-On Switching  
Loss  
Eon  
Eoff  
27.9  
37.2  
mJ  
mJ  
Turn-Off Switching  
Loss  
©2011 STARPOWER Semiconductor Ltd.  
3/14/2011  
2/6  
Preliminary  
123456

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