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GBL10-G

更新时间： 2024-09-28 07:18:03
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上华 - COMCHIP 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBL10-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-T4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T4最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GBL10-G 数据手册

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Glass Passivated Bridge Rectifiers  
GBL005-G Thru. GBL10-G  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 4.0A  
RoHS Device  
2GBJ  
Features  
-Rating to 1000V PRV  
-Surge overload rating - 125 amperes peak.  
0.142(3.6)  
0.133(3.4)  
0.81(20.6)  
0.77(19.6)  
0.098(2.5)  
*45°  
Chamfer  
0.44(11.2)  
0.42(10.7)  
0.106(2.7)  
0.091(2.3)  
+
-
Mechanical Data  
0.043(1.1)  
0.56(14.2)  
0.50(12.7)  
0.035(0.9)  
-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.  
-Case: Molded plastic, 2GBJ  
-Polarit:As marked on Body  
-Mounting position: Any  
0.059(1.5)  
0.051(1.3)  
0.020(0.51)  
0.015(0.38)  
0.045(1.14)  
0.035(0.90)  
0.210(5.3)  
0.190(4.8)  
0.210(5.3)  
0.190(4.8)  
-Weight: 2.151grams  
0.210(5.3)  
0.190(4.8)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25 OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol  
GBL005-G GBL01-G GBL02-G GBL04-G GBL06-G GBL08-G GBL10-G  
Parameter  
Unit  
V
RRM  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
RMS  
V
DC  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified  
I
(AV)  
4.0  
125  
A
A
Output Current @T =50°C  
A
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load  
IFSM  
Maximum Forward Voltage Drop  
Per Bridge Element at 4.0A Peak  
V
F
1.1  
10.0  
1.0  
V
Maximum Reverse Current At Rate  
DC Blocking Voltage  
μA  
mA  
IR  
Maximum Reverse Current At Rate  
IR  
DC Blocking Voltage @T =100°C  
J
O
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
J
-55 to +150  
-55 to +150  
C
O
TSTG  
C
Notes:  
1. Mounting Conditions,0.5” lead length maximum.  
REV:A  
Page 1  
QW-BBR52  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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