GBJ2500

更新时间： 2024-01-24 17:00:45

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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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GBJ2500 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	50 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	TS 16949	最大重复峰值反向电压：	50 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GBJ2500 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

GBJ2500 - GBJ2510

RBV25

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 25 Amperes

3.9 ± 0.2

30 ± 0.3

4.9 ± 0.2

Æ 3.2 ± 0.1

FEATURES :

* Glass Passivated Die Construction

* High surge current capability

* High reliability

+ ~ ~

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* High case dielectric strength of 2000 VDC

* High current capability

* Very good heat dissipation

* Pb / RoHS Free

1.0 ± 0.1

2.7 ± 0.2

0.7 ± 0.1

MECHANICAL DATA :

* Case : Reliable low cost construction

utilizing molded plastic technique

7.5 7.5

±0.2 ±0.2 ±0.2

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

Dimensions in millimeters

* Weight : 8.17 grams ( Approximaly )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

GBJ

2500

GBJ

2501

GBJ

2502

GBJ

2504

GBJ

2506

GBJ

2508

GBJ

2510

SYMBOL

RATING

UNIT

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

VRRM

VRMS

VDC

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100

1000

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current Tc = 100°C

IF(AV)

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

IFSM

300

510

I²t

A²S

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

1.1

Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 12.5 A

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 °C

IR(H)

500

0.6

Ta = 100 °C

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

°C/W

°C

RqJC

- 40 to + 150

TSTG

°C

Note :

1. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 220 x 220 x 1.6mm aluminum plate heat sink.

Page 1 of 2 Rev. 03 : September 9, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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