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G9494-512D

更新时间： 2024-09-30 03:38:59

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HAMAMATSU		传感器图像传感器
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5页	132K
描述
InGaAs linear image sensor

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G9494-512D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
主体宽度：	15.11 mm	主体高度：	3 mm
主体长度或直径：	31.75 mm	数据速率：	2 Mbps
水平像素：	512	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最大工作电流：	150 mA	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	输出范围：	1.26-3.50V
输出类型：	DIGITAL VOLTAGE	封装形状/形式：	RECTANGULAR
像素大小：	25X25 µm	传感器/换能器类型：	IMAGE SENSOR,CMOS
最大供电电压：	5.5 V	最小供电电压：	4.5 V
表面贴装：	NO	端接类型：	SOLDER
垂直像素：	512	Base Number Matches：	1

G9494-512D 数据手册

I M A G E S E N S O R

InGaAs linear image sensor

G9494-256D/-512D

Near infrared image sensor (0.9 to 1.7 µm) with high-speed data rate

HAMAMATSU provides high-speed, near infrared image sensors designed for detectors used in on-line foreign object inspection equipment. These

image sensors use square-shaped pixels that are ideally suited for software processing in pattern recognition systems.

The signal processing circuit employs CTIA (Capacitive Transfer Impedance Amplifier) method to perform simultaneous charge integration on all pixels,

so there is no time lag among the pixel output signals.

Features

Applications

High-speed data rate: 2 MHz Typ.

Selectable conversion gain (Cf=0.1 pF, 1 pF)

Pixel size

Foreign object detection monitors

Near infrared spectroscopy

G9494-256D: 50 × 50 µm

G9494-512D: 25 × 25 µm

CMOS readout circuit incorporated

Low dark current

Room temperature operation

ꢀ

S e le c tio n g u id e

Typ e N o .

P ixe l size

Spectral response range

[µ m (H ) × µ m

(µ m )

N u m b e r o f

p ixe ls

P ixe l p itc h

(µ m )

C o o lin g

Defective pixel

L e ss th a n 1 %

(V )]

G 9 4 9 4 -2 5 6 D

G 9 4 9 4 -5 1 2 D

2 5 6

5 1 2

5 0

2 5

5 0 × 5 0

N o n -c o o le d

0 .9 to 1 .7 (2 5 °C )

2 5 × 2 5

ꢀ

A b so lu te m a x im u m ra tin g s

P a ra m e te r

S ym b o l

V d d

Va lu e

U n it

S u p p ly vo lta g e

C lo c k p u ls e v o lta g e

R e s e t p u ls e v o lta g e

G a in se lec tio n te rm in a l vo lta g e

O p e ra tin g te m p e ra tu re *¹

S to ra g e te m p e ra tu re *¹

*1 : N o c on d e n s a tio n

-0 .3 to + 6

-2 0 to + 7 0

-2 0 to + 8 5

V (R E S )

V c f^{S E L}

To p r

°C

Ts tg

ꢀ

E le c tric a l c h a ra c te ris tic s (Ta = 2 5 °C )

P a ra m e te r

S ym b o l

V d d

M in .

4 .5

3 .3

0 .1

4 .5

Typ .

5 .0

1 .2 6

4 0

8 0

3 .5

5 .0

M a x.

5 .5

7 5

1 5 0

U n it

G 9 4 9 4 -2 5 6 D

G 9 4 9 4 -5 1 2 D

S u p p ly vo lta g e

S u p p ly cu rre n t

Vre f

G 9 4 9 4 -2 5 6 D

G 9 4 9 4 -5 1 2 D

I^{V d d}

m A

I^{V re f}

I^{IN P}

V s s

IN P

m A

M H z

S u p p ly cu rre n t

G ro u n d

E le m e n t b ia s

C lo c k fre q u e n c y

3 .6

5 .5

0 .4

1 0 0

H ig h

L o w

C lo c k p u ls e v o lta g e

C lo ck p u lse rise / fa ll tim e s

C lo c k p u ls e w id th

tr , tf

2 0

5 .0

n s

tp w

1 0 0

4 .5

H ig h

L o w

5 .5

0 .4

R e s e t p u ls e v o lta g e

V (R E S )

tr (R E S ), tf

(R E S )

tp w (R E S )

V ^H

R e s e t p u ls e ris e / fa ll tim e s

R e s e t p u ls e w id th *²

2 0

1 0 0

n s

µ s

6 /f

H ig h

L o w

3 .5

1 .2 6

V d d

G N D

IN P

V id e o o u tp u t vo lta g e

V id e o o u tp u t im p e d a n c e

A /D trig g e r v o ltag e

Ω

Z v

H ig h

L o w

V trig

7 4 H C 2 4 4

1 c h

A /D trig g e r d rive fu n c tio n

Va d

D a ta ra te

H z

*2 : 6 µ s o r m o re

12 3 4 5

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G950	GMT	获取价格	N/A
G950T45U	ETC	获取价格	2.5V 1A Regulator
G950T55U	GMT	获取价格	Regulator
G950T63U	GMT	获取价格	Regulator
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G950T64UF	GMT	获取价格	Regulator
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