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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW INDUCTANCE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 2% | 最小二极管电容比： | 1.8 |
| 标称二极管电容： | 5.6 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | S BAND |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 600 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 变容二极管分类： | ABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G605ACHIP | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 5.6pF C(T), 25V, Silicon, Abrup |
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| G605B | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, S Band, 5.6pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt, DO-35, |
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| G605BCHIP | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 5.6pF C(T), 25V, Silicon, Abrup |
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| G605C | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, S Band, 5.6pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt, DO-35, |
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| G605CCHIP | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 5.6pF C(T), 25V, Silicon, Abrup |
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| G606 | ETC |
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Smart high-current power switch.|Power Switch Series |
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| G606AB | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, S Band, 6.8pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
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| G606AC | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, S Band, 6.8pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-35, HERMETIC SEALED, D |
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| G606ACHIP | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 6.8pF C(T), 25V, Silicon, Abrup |
|
| G606B | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, S Band, 6.8pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt, DO-35, |
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