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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOW INDUCTANCE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管电容容差： | 5% |
| 最小二极管电容比： | 1.9 | 标称二极管电容： | 10 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | S BAND | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小质量因数： | 600 |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 变容二极管分类： | ABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G610AC | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, S Band, 10pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-35, HERMETIC SEALED, DO |
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| G610ACHIP | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 10pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt |
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| G610BCHIP | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 10pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt |
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| G610CCHIP | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 10pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt |
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| G611B | ETC |
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T-1, (3-mm) Round, PCB Mount, Right Anle Array, G61XB Series |
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| G611BX-UL | IDEA |
获取价格 |
T-1, (3-mm) Round, PCB Mount Right Angle Array |
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| G611L | ETC |
获取价格 |
T-1, (3-mm) Round, PCB Mount Right Angle Array, G61XL Series |
|
| G611S | ETC |
获取价格 |
T-1, (3-mm) Round, PCB Mount Direct View Array, G61XS Series |
|
| G6121 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Infrared detector module with preamp |
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| G6121_15 | HAMAMATSU |
获取价格 |
Infrared detector modules with preamps |
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