5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-XXMA-X |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G504100D1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| G504100D1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| G504100D1TBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| G504100D1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| G504100D1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Voltage Multiplier Diode, Silicon, |
|
| G504100H1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| G504100H1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G504100H1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| G504100H1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G504100H1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
