生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.38 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 14 A |
最大漏极电流 (ID): | 14 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0081 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 98 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FY230K102B++2BL5 | AISHI |
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Film EMI |
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FY230K102C++2CL5 | AISHI |
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FY230K103C++2CL5 | AISHI |
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FY230K103E++2EL5 | AISHI |
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FY230K104F++2FL5 | AISHI |
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FY230K104G++2GL5 | AISHI |
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FY230K105G++2GL5 | AISHI |
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FY230K105K++2KL5 | AISHI |
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FY230K122B++2BL5 | AISHI |
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FY230K122C++2CL5 | AISHI |
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