FS30ASJ-06F

更新时间： 2024-02-20 16:10:56

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
7页	103K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FS30ASJ-06F 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS30ASJ-06F 数据手册

FS30ASJ-06F

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G0242-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 4 V

V_DSS: 60 V

_{DS(ON) (max)}: 22 mΩ

I_D: 30 A

Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 50 ns

Outline

MP-3A

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Source current

I_DM

120

I_DA

L = 10 µH

I_S

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

120

P_D

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

0.32

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与FS30ASJ-06F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS30ASJ-06F-T13	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS30ASJ-06-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS30ASJ2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-252
FS30ASJ-2	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS30ASJ-2	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS30ASJ-2	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS30ASJ-2-T13	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS30CT-12B	XPPOWER	获取价格	Analog Circuit,
FS30CT-12BT	XPPOWER	获取价格	Analog Circuit,
FS30CT-15B	XPPOWER	获取价格	Analog Circuit,