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FS12KM-5

更新时间: 2024-02-08 19:30:21
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220FN, 3 PIN

FS12KM-5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220FN包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:35 W
最大功率耗散 (Abs):35 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FS12KM-5 数据手册

  

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