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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FRM9140D | INTERSIL | 11A, -100V, 0.300 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs |
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| FRM9140D1 | RENESAS | 11A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| FRM9140D2 | RENESAS | 11A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| FRM9140D3 | RENESAS | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FRM9140D4 | RENESAS | 11A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| FRM9140H | INTERSIL | 11A, -100V, 0.300 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs |
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